肖永光导师主页
基本信息
姓名: 肖永光
职称: 副教授
单位电话: 0731-58292200
电子信箱: ygxiao@xtu.edu.cn
办公室: 微电子材料与器件系
个人主页:
http://www.xtu.edu.cn/daoshi/?id=1788
个人简介

肖永光,男,党员,博士/副教授,硕士生导师,2008年6月毕业于湘潭大学材料与光电物理学院微电子学本科专业。2008年9月被推荐免试攻读湘潭大学材料与光电物理学院微电子学与固体电子学硕士专业,2010年9月转为材料科学与工程专业硕博连读博士研究生,于2013年6月获得博士学位。主要从事铁电场效应晶体管存储器的微观结构设计和性能优化研究。主持国家自然科学基金青年项目1项,国家自然科学基金面上项目子项1项,湘潭大学科研启动项目1项,同时作为骨干成员参与了多项国家自然科学基金研究。近年来,在Applied Physics Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、 Journal of Applied Physics等国内外著名刊物上发表学术论文30余篇,研究成果得到国内外同行的高度评价, 欢迎有志之士报考我的研究生,与我一起做研究。

研究方向

1. 集成电路设计 2. 铁电场效应晶体管存储器(FeFET)、多铁隧道结及器件 3. 铁电薄膜的负电容效应

科研项目

主持的科研项目 1. 2015.01-2017.12,铁电场效应晶体管的负电容效应研究,国家自然科学基金青年项目(61404113) 2. 2013.09-2015.09,铁电场效应晶体管的低功耗研究,湘潭大学科研启动资金 3. 2011.04-2013.04,负电容场效应晶体管的电学性能研究,湖南省研究生创新项目(CX2011B248)。

主要代表性论文

[1] Y. G. Xiao, D. B. Ma, J. Wang, G. Li, S. A. Yan, W. L. Zhang, Z. Li, and M. H. Tang, An improved model for the surface potential and drain current in negative capacitance field effect transistors. RSC Advances, 6, 103210-103214, 2016.

[2] Y. G. Xiao, J. Wang, D. B. Ma, Z. Li, and M. H. Tang, Effect of zirconium or titanium component on electrical properties of PbZr1-xTixO3 gated negative capacitance ferroelectric field-effect transistors. Materials Research Express, 3, 105902(1-6), 2016.

[3] Y. G. Xiao, J. Wang, D. B. Ma, M. H. Tang, Z. Li, An interface charge model for ferroelectric field effect transistor. Integrated Ferroelectrics, 17(1), 54-62, 2016.

[4] Y. G. Xiao, M. H. Tang, J. C. Li, C. P. Cheng, B. Jiang, H. Q. Cai, Z. H. Tang, X. S. Lv, and X. C. Gu, Temperature effect on electrical characteristics of negative capacitance ferroelectric field-effect transistors. Applied Physics Letters, 100 (8), 083508, 2012.

[5] Y. G. Xiao, Y. Xiong, M. H. Tang, J. C. Li, C. P. Cheng, B. Jiang, Z. H. Tang, X. S. Lv, H. Q. Cai, X. C. Gu, and Y. C. Zhou, Effect of doping concentration of substrate silicon on retention characteristics in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor capacitors. Applied Physics Letters, 100 (17), 173504, 2012.

[6] Y. G. Xiao, Z. J. Chen, M. H. Tang, Z. H. Tang, S. A. Yan, J. C. Li, X. C. Gu, Y. C. Zhou, and X. P. Ouyang, Simulation of electrical characteristics in negative capacitance surrounding-gate ferroelectric field-effect transistors. Applied Physics Letters, 101 (25), 253511, 2012.

[7] Y. G. Xiao, M. H. Tang, Y. Xiong, J. C. Li, C. P. Cheng, B. Jiang, H. Q. Cai, Z. H. Tang, X. S. Lv, X. C. Gu, and Y. C. Zhou, Use of negative capacitance to simulate the electrical characteristics in double-gate ferroelectric field-effect transistors. Current Applied Physics, 12, 1591-1595, 2012.

[8] Y. G. Xiao, Y. Xiong, M. H. Tang, J. C. Li, X. C. Gu, C. P. Cheng, B. Jiang, Z. H. Tang, X. S. Lv, H. Q. Cai, and J. He, Factors for the polarization lifetime in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor capacitors. Solid State Electronics, 73, 84-88, 2012.

[9] Y. G. Xiao, M. H. Tang, J. C. Li, B. Jiang and J. He, The influence of ferroelectric-electrode interface layer on the electrical characteristics of negative-capacitance ferroelectric double-gate field-effect transistors. Microelectronics Reliability, 52 (4), 757-760, 2012.

[10] Y. G. Xiao, M. H. Tang, H. Y. Xu, J. He, Ferroelectric properties and leakage behavior in poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) ferroelectric thin films with additive diethyl phthalate. Integrated Ferroelectrics, 125 (1), 89-97, 2011.